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台式三维原子层沉积系统-ALD

  • 产品介绍
  • 性能参数

  原子层沉积(Atomic layer deposition, ALD)是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器,化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的一种方法,是一种可以将物质以单原子膜形式逐层的镀在衬底表面的方法。因此,它是一种真正的“纳米”技术,以精确控制方式实现纳米级的超薄薄膜沉积。由于ALD利用的是饱和化学吸附的特性,因此可以确保对大面积、多空、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形的均匀沉积。


产品特点:

  • 体积小巧,可放在实验桌面上,方便集成;

  • 热壁式加热,加热更均匀;

  • 加热式前驱体支管,前驱体瓶 ,防止支管内沉积;

  • 双路支管,氧化/ 还原与有机金属前驱体分开输运;

  • 多8 路前驱体通道, 适合复杂/ 掺杂薄膜的沉积;

  • 多层衬底托盘, 多同时沉积9 片基体;

  • 可容纳多片4,6,8 英寸样品同时沉积;

  • 可容纳1.25 英寸/32mm 厚度的基体;

  • 标准CF-40 接口 。


GEMStar -4 XT:大4英寸/100 mm基片沉积;单路前驱体输运支管,4路前驱体瓶接口;不可升为等离子体增强ALD。

GEMStar -6/8 XT:大6英寸(150mm)/8英寸(200mm)基片沉积;双路前驱体输运支管,8路前驱体瓶和CF-40接口;可升为等离子体增强ALD。

GEMStar -8 XT-P:大8英寸/200mm基片沉积;双路前驱体输运支管, 8路前驱体瓶和CF-40接口;装备高性能ICP等离子发生器,13.56 MHz 的等离子源非常紧凑,只需风冷,高运行功率达300W。标配3组气流质量控制计(MFC)控制的等离子气源线,和一条MFC控制的运载气体线,使难以沉积的氧化物、氮化物、金属也可以实现均匀沉积。